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ynlizhen 2007-12-9 01:10

第二章迅盘技术的使用条件以及内部构造

迅盘的使用条件：BIOS、<A href="http://vista.zol.com.cn/">vista</A>系统
　“迅盘”的使用条件也相对比较苛刻，首先南桥芯片要求为迅驰４平台所特有的ICH<?XML:NAMESPACE PREFIX = ST1 /><ST1:CHMETCNV TCSC="0" NumberType="1" Negative="False" HasSpace="False" SourceValue="8" UnitName="m" w:st="on">8M</ST1:CHMETCNV>南桥；支持SATA接口的<A href="http://detail.zol.com.cn/hard_drives_index/subcate2_list_1.html">硬盘</A>，并且在BIOS中也不能将其设置成PATA兼容模式，否则在操作系统中的“<A href="http://detail.zol.com.cn/notebook_index/subcate16_125_list_1.html">Intel</A> Turbo Memory”控制台将不能打开。

<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1140219.shtml"> <IMG title="迅盘 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="迅盘 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/219/cePiz9iQJ8c.jpg" align=no></A> BIOS相关设置项（点击放大)
    从该图可以看出，“迅盘”技术必须伴随SATA中的AHCI技术。所以很自然的该技术选项也成为了迅盘的“开关”。当然直接将SATA模式改为PATA模式也可以达到关闭“迅盘”的目的。
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1140236.shtml"><IMG title="迅盘 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="迅盘 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/236/cexMRoC2QwrcE.jpg" align=no></A> BIOS关闭情况下，“Intel Turbo Memory”控制台
    从上图可以看出，如果在BIOS关闭的情况下，“Intel Turbo Memory”控制台中相关设置均为灰色的非可选状态。 
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1140236.shtml"></A>
<IMG title="迅盘 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="迅盘 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/235/cevy1hhXyMjWw.jpg" align=no> “Intel Turbo Memory”控制台中开启“迅盘”
    由于“迅盘”技术需要Windows Vista中Ready Boost与Ready Drive的支持，所以操作系统方面也被限定为Windows Vista。并且在使用的时候记得将“Intel Turbo Memory”控制台中关于Ready Boost与Ready Drive的选项打开哦！

ynlizhen 2007-12-9 01:11

迅盘的组成部分：NAND高速闪存
    本节中我们将为您介绍迅盘的存储介质——NAND高速闪存模块。提到高速闪存模块，就要从闪存模块的种类谈起。
·闪存的种类：NOR与NAND
　　一般高速闪存模块分为两种规格，NOR Flash和NAND Flash，它们均为非易失性闪存模块。NOR又称Code Flash，有些类似于DRAM。它以存储程序代码为主，所以可以让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为512MB。而NAND闪存则更像硬盘，它以存储数据为主，故又称Data Flash。它的特点是晶片容量大，目前主流容量分为512MB、1GB、2GB等。二者最大的区别在于读写速度，NAND闪存写入与清除资料的速度远快于NOR，但是NOR闪存在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND多应用在小型机，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中，如手机。
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1143619.shtml"> <IMG title="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/619/ceDK1emCfv9Io.jpg" align=no></A> NAND闪存颗粒
    <A href="http://detail.zol.com.cn/notebook_index/subcate16_125_list_1.html">Intel</A>于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。随后，1989年，<A href="http://detail.zol.com.cn/notebook_index/subcate16_209_list_1.html">东芝</A>公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。在近20年的时间里，这两种类型的闪存技术被广泛应用到手机市场、<A href="http://detail.zol.com.cn/digital_camera_index/subcate15_list_1.html">数码相机</A>市场以及移动存储市场。
    如今，随着科学技术的不断扩大，NOR和NAND闪存也得到了进一步提升。新版的NOR闪存接口将使用133MHz甚至更高的频率，而且它将被用于3G以及UMTS手机。而NAND由于写入速度较快，加上功耗低开始逐渐被用于PC。至此，闪存技术解决方案开始衍变为一个不断变化的多应用需要，日益多元化的需求的更有效解决办法。当然，由于本文主要讲述NAND，因此，被用于移动通信平台的NOR在此就不做过多介绍了。

ynlizhen 2007-12-9 01:11

NAND闪存的三种架构：MLC、SLC、MBC
　　我们先来看看NAND闪存的内部架构。NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC （Single Level Cell）；多层单元MLC（Multi Level Cell）；多位单元MBC（Multi Bit Cell）。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。
　　采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1143620.shtml"> <IMG title="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/620/ceRIaa96rOEzM.jpg" align=no></A> SLC和MLC结构和工作原理示意图
　　1997年，MLC架构的NAND闪存被英特尔率先研发出来，其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过<A href="http://detail.zol.com.cn/memory_index/subcate3_list_1.html">内存</A>储存格的电压控制精准读写。由于其成本低，容量大，自问世以来得到了包括英特尔在内的多家闪存大厂的支持，其中<A href="http://detail.zol.com.cn/notebook_index/subcate16_209_list_1.html">东芝</A>公司更是看好MLC技术，并大力发展。但是MLC架构也同样有其缺点，首先是运行情况不及SLC架构来的稳定；而且相对读写速率也较SLC慢；其次MLC的可写入次数仅为1万次左右。因此，MLC架构的NAND芯片一度被认为是低质低价的闪存芯片。但是由于其容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1143621.shtml"><IMG title="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/621/ceR44bXocF8Wc.jpg" align=no></A> 两个MCL Block的NAND <A href="http://flash.zol.com.cn/">flash</A>
　　因为其低成本及容量高的关系，该类型闪存已经主宰了我们身边的众多存储媒介。由于目前移动设备的不断增长，大容量高速非易失性存储设备成为市场需求的目标。     根据测试样机中的迅盘模块上闪存的编号可以判断出，该迅盘模块使用的是两颗编号为29F04G08AANBI的512MB闪存芯片，该芯片使用TSOP封装模式，属于MLC架构。从该处也可以看出，英特尔对MLC架构的NAND闪存芯片的性能及稳定性已经有了充分的信心，并且为其将来的容量扩充也做好了准备。

ynlizhen 2007-12-9 01:12

主控芯片：沉有钻石的湖泊--Diamond Lake ASIC
    有了NAND闪存作为高速存储介质，剩下的就要看它的控制调配系统，也就是迅盘的控制核心--Diamond Lake ASIC。
    这颗名为Diamond Lake的ASIC芯片是一颗8mm×8mm大小，拥有68个针脚的芯片。ASIC（Application Specific Intergrated Circuits）本身是一种专用的集成电路，是根据用户特定要求和特定电子系统的需要而设计制造的。该ASIC具有用户现场可编程特性，并且支持边界扫描技术。说得直白一些，集成在迅盘上的这颗ASIC控制芯片扮演了传统北桥芯片中的<A href="http://detail.zol.com.cn/memory_index/subcate3_list_1.html">内存</A>控制器的角色，它对读写的数据进行分类控制，通过其来控制<A href="http://detail.zol.com.cn/hard_drives_index/subcate2_list_1.html">硬盘</A>、闪存单元、内存之间的数据交换。 
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1143742.shtml"> <IMG title="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/742/ceYmP38ADRlGs.jpg" align=no></A> 红色区域：控制芯片
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_115/index1143727.shtml"><IMG title="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="速度提升2倍英特尔迅盘技术深度解析 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/727/ced7YWX8ihk.jpg" align=no></A>
    Diamond Lake ASIC决定了迅盘系统所能使用闪存的最大容量、类型、速度、闪存内数据深度和数据宽度等等重要参数，可以说决定了整个迅盘系统的性能。我们认为，迅盘有了这颗Diamond Lake ASIC芯片，再配合BIOS中的DFOROM（磁盘过滤ROM，相当于在BIOS中写入迅盘的<A href="http://download.zol.com.cn/topic/driver/">驱动</A>程序）这个预引导软件，就可以获得硬件级的缓存效果。

ynlizhen 2007-12-9 01:12

JTAG接口：闪存与I/O系统的链接
    有了控制调配芯片，闪存与I/O系统之间高速链接的硬件条件就有了，下面要解决的就是互联的通道了，如何创建一个高速链接的通道成为了一个最大的挑战，这里便涉及到了一个国际标准——JTAG协议。

    JTAG（Joint Test Action Group，联合测试行动小组）是一种国际标准测试协议（IEEE 1149.1兼容），主要用于芯片内部测试。现在多数的高级器件都支持JTAG协议，如DSP、FPGA器件等，而Robson模组也不例外。本章节我们将详细介绍JTAG协议，来看看它是如何帮助芯片传输的。
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_114/index1139837.shtml"> <IMG title="白皮书 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="白皮书 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/837/cejLPByNu3hMU.jpg" align=no></A> 原理：写入方式
    通常所说的JTAG大致分两类：一类用于测试芯片的电气特性，检测芯片是否有问题；另一类便是用于Debug；一般支持JTAG的主控芯片内部都包含了这两个模块。直白的说，一个具有JTAG Debug接口模块的控制芯片，只要时钟正常，就可以通过JTAG的接口访问芯片内部寄存器与连接于该主控芯片上的设备，比如迅盘模块上连接于Diamond Lake ASIC的NAND闪存。其原理是：在PCB电路设计好后，即可用程序先通过JTAG进行指令控制，通过TDI送入JTAG控制器的指令寄存器中，再通过TDI将要写入闪存芯片的地址、数据及控制线信号载入BSR中，并将数据锁存到BSC中，最后用EXTEST指令通过BSC将数据写入闪存。如图：
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_114/index1139820.shtml"><IMG title="白皮书 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="白皮书 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/820/cefEd6fYyBgo.jpg" align=no></A> 针脚定义
    标准的JTAG接口是4线：TMS、TCK、TDI、TDO，分别为模式选择、时钟、数据输入和数据输出线。JTAG的接口是一种非常特殊的4线接口，在电路版上的芯片可以将它们的JTAG接脚通过菊花链的方式连在一起，然后，只需连接到一个“JTAG端口”就可以访问一块电路板上的所有芯片，节省了针脚所占用的空间，由于所有芯片都用一个针脚传输，所以加快了传输的速度。
    早期的JTAG是用来对芯片进行测试的，基本原理是在器件内部定义一个TAP（Test Ac<A href="http://smb.zol.com.cn/topic/589883.html">CES</A>s Port，测试访问口）通过专用的JTAG测试工具对进行内部节点进行测试。刚才我们也提到过，JTAG测试允许多个器件通过JTAG接口串联在一起，形成一个JTAG链，能实现对各个器件分别测试。然而现在，JTAG接口大多被用于实现ISP（In-System rogrammable，在线编程），对<A href="http://flash.zol.com.cn/">flash</A>等器件进行编程。
<A href="http://detail.zol.com.cn/picture_index_114/index1139838.shtml"><IMG title="白皮书 " style="BORDER-RIGHT: black 1px solid; BORDER-TOP: black 1px solid; BORDER-LEFT: black 1px solid; BORDER-BOTTOM: black 1px solid" alt="白皮书 " src="http://img2.zol.com.cn/product/11_450x337/838/cen5RMXurcito.jpg" align=no></A> 快速在线编程
    对闪存的在线编程有什么好处呢？首先，传统生产流程中先对芯片进行预编程，然后再装到PCB板；而JTAG则不同，其流程为，先将芯片焊接到PCB上，再通过JTAG接口进行编程，从而大大的加快了进度。由于，JTAG接口可对芯片内部的所有部件进行编程，所以日后方便对迅盘模块进行修改。
    迅盘技术的内部构造解析至此就告一段落，下面我们会通过10余项专业测试来说明迅盘的性能是否能够给整体系统带来提升，马上进入测试环节。

sunlei3721 2008-7-2 16:17

第二章迅盘技术的使用条件以及内部构造
好贴~！~！

daivda 2008-11-11 17:48

支持楼主，多谢支持！！！谢谢分享！！

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